Datasheet下载- 型号： MT47H64M16HR-3:H TR
- 制造商： Micron Technology Inc
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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MT47H64M16HR-3:H TR产品简介：
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MT47H64M16HR-3:H TR是美光科技（Micron Technology Inc.）生产的一款DDR2 SDRAM存储器，容量为1Gb（64M x 16），采用84-ball FBGA封装，工作电压为1.8V，速度等级为3ns（对应时钟频率约333MHz，即PC2-5300）。该型号主要面向工业级和嵌入式应用，具备高可靠性和稳定性。 其典型应用场景包括：网络通信设备（如路由器、交换机）、工业自动化控制系统、医疗成像设备、车载电子系统、监控安防设备以及中低端嵌入式处理器平台。由于其符合工业温度范围（通常为-40°C至+85°C），适合在恶劣环境或对长期运行稳定性要求较高的场合使用。 此外，该芯片也常见于一些消费类电子产品升级模块或工控主板中，用于替代标准内存颗粒，满足特定尺寸或功耗限制需求。虽然DDR2技术已逐步被DDR3/DDR4/DDR5取代，但在许多仍在服役的 legacy 系统中，MT47H64M16HR-3:H TR因其供货稳定、兼容性强，仍具有重要维护和替换价值。 综上，该存储器主要应用于对可靠性、耐用性和长期供货有要求的工业与嵌入式领域，是老旧系统维护和特定专用设备中的关键组件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR2 SDRAM 1GBIT 3NS 84FBGA |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MT47H64M16HR-3:H TR |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 84-FBGA （8x12.5） |
| 其它名称 | 557-1526-6 |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 存储器类型 | DDR2 SDRAM |
| 存储容量 | 1G（64M x 16） |
| 封装/外壳 | 84-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 3ns |
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